Silisiumnitrid Si3n4 keramisk substrat

Silisiumnitrid Si3n4 keramisk substrat

Silisiumnitrid Si3n4 keramisk substrat er en type avansert materiale som brukes i mange forskjellige bruksområder, fra elektronikk til romfartsindustri. Den har en unik kombinasjon av egenskaper som gjør den til en av de mest allsidige og holdbare keramikkene som finnes. Silisiumnitrid er et utrolig hardt og sterkt materiale, som gjør det svært motstandsdyktig mot slitasje. Den har utmerket termisk stabilitet, noe som betyr at den tåler høye temperaturer uten å forringe eller miste egenskapene. I tillegg er den svært elektrisk isolerende, og gir utmerket isolasjon og beskyttelse til elektriske komponenter.

Silisiumnitrid keramisk substrat brukes i forskjellige elektroniske komponenter, som krafthalvledere og lysdioder (LED), på grunn av dets utmerkede varmeledningsevne og varmeavledningsegenskaper. Den brukes også i mekaniske applikasjoner, som høyhastighetslagre og skjæreverktøy, på grunn av sin eksepsjonelle styrke og seighet. Luftfartsindustrien bruker silisiumnitrid keramisk substrat i høytemperaturapplikasjoner, for eksempel turbindeler, på grunn av sin utmerkede termiske støtmotstand og oksidasjonsmotstand.

Totalt sett er silisiumnitrid keramisk substrat et eksepsjonelt materiale med et bredt spekter av bruksområder. Dens holdbarhet, termiske stabilitet, elektriske isolasjon og mekaniske styrke gjør den til et populært valg i mange forskjellige bransjer.

Du er velkommen til å komme til fabrikken vår for å kjøpe det siste salgs-, lavpris- og høykvalitets silisiumnitrid-keramisk substrat. Torbo ser frem til å samarbeide med deg.

Torbo® silisiumnitrid Si3n4 keramisk substrat

Vare: Silisiumnitrid Si3n4 keramisk substrat

Materiale: Si3N4

Farge: Grå

Tykkelse: 0,25-1mm

Overflatebehandling: Dobbeltpolert

Bulkdensitet: 3,24g/㎤

Overflateruhet Ra: 0,4μm

Bøyestyrke: (3-punkts metode):600-1000Mpa

Elastisitetsmodul: 310Gpa

Bruddfasthet (IF-metoden): 6,5 MPa･√m

Termisk ledningsevne: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrisk tapsfaktor:0,4

Volumresistivitet: 25°C >1014 Ω･㎝

Nedbrytningsstyrke: DC >15㎸/㎜