Silisiumnitrid keramisk substrat for elektronikk

Silisiumnitrid keramisk substrat for elektronikk

Silisiumnitrid keramisk substrat for elektronikk er en spesialisert type keramisk materiale som brukes i ulike industrielle applikasjoner hvor høy styrke, holdbarhet og termisk stabilitet er nødvendig. Den er laget av en kombinasjon av silisium, nitrogen og andre elementer som gir den unike mekaniske, termiske og kjemiske egenskaper.

Si3N4 keramisk underlag har eksepsjonell mekanisk styrke, noe som gjør det svært motstandsdyktig mot slitasje og skade fra støt og kompresjon. Den er også svært termisk støtbestandig, i stand til å motstå raske temperaturendringer uten å sprekke eller gå i stykker. Dette gjør den ideell for bruk i høytemperaturindustrier som romfart, bilteknikk og andre områder hvor varmeavledning er nødvendig.

I tillegg til sine mekaniske og termiske egenskaper, tilbyr Si3N4 keramisk substrat også utmerket elektrisk isolasjon og god korrosjonsbestandighet i tøffe miljøer. Den brukes i elektronikk og halvlederapplikasjoner som kraftmoduler og høytemperaturelektronikk på grunn av dens overlegne varmespredning og isolasjonsegenskaper.

Samlet sett er Si3N4 silisiumnitrid keramisk substrat et eksepsjonelt materiale med et bredt spekter av bruksområder. Dens eksepsjonelle mekaniske styrke, termiske stabilitet, elektriske isolasjon og kjemiske motstand gjør den ideell for ulike industrielle og elektroniske applikasjoner der pålitelighet og effektivitet er kritiske faktorer.

Torbo® silisiumnitrid keramisk substrat for elektronikk

Vare: Silisiumnitridsubstrat

Materiale: Si3N4

Farge: Grå

Tykkelse: 0,25-1mm

Overflatebehandling: Dobbeltpolert

Bulkdensitet: 3,24g/㎤

Overflateruhet Ra: 0,4μm

Bøyestyrke: (3-punkts metode):600-1000Mpa

Elastisitetsmodul: 310Gpa

Bruddfasthet (IF-metoden): 6,5 MPa･√m

Termisk ledningsevne: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrisk tapsfaktor:0,4

Volumresistivitet: 25°C >1014 Ω･㎝

Nedbrytningsstyrke: DC >15㎸/㎜