Kraft elektronisk substrat

Kraft elektronisk substrat

Kraftelektroniske underlag er en type materiale som brukes i konstruksjonen av kraftelektroniske komponenter som kraftmoduler, vekselrettere og omformere. De er vanligvis laget av keramikk eller annet høytemperaturmateriale som gir en robust, høy varmeledningsevne og pålitelig elektrisk isolasjon. Disse substratene er designet for å gi nødvendig støtte og termisk styring for kraftelektroniske komponenter, slik at de kan fungere effektivt og pålitelig.

Kraftelektroniske substrater brukes i forskjellige applikasjoner, for eksempel motordrift, fornybare energisystemer, elektriske kjøretøy og andre kraftelektronikkapplikasjoner. De er spesialdesignet for å håndtere høyeffektapplikasjoner der termisk styring er avgjørende for effektiv drift. For eksempel kan høytemperaturkeramikk som aluminiumnitrid (AlN) eller silisiumkarbid lede varme opptil 10 ganger bedre enn metaller som kobber, noe som gjør dem til utmerkede materialer for kraftelektroniske substratapplikasjoner.

I tillegg til deres høytemperatur- og varmeledningsevne, tilbyr kraftelektroniske substrater utmerket elektrisk isolasjon, noe som er essensielt i kraftelektronikk. Elektriske isolasjonsmaterialer forhindrer kortslutninger og beskytter mot skade fra høye spenninger, og sikrer at elektriske komponenter er trygge og pålitelige.

Totalt sett er kraftelektroniske substrater essensielle materialer for konstruksjon av kraftelektroniske komponenter. Deres høytemperatur- og varmeledningsevne, kombinert med utmerket elektrisk isolasjon, gjør dem til et ideelt valg for kraftelektronikkapplikasjoner som krever høy pålitelighet og effektiv termisk styring.

Torbo® Power elektroniske underlag

Vare: Kraft elektronisk substrat

Materiale: Si3N4

Farge: Grå

Tykkelse: 0,25-1mm

Overflatebehandling: Dobbeltpolert

Bulkdensitet: 3,24g/㎤

Overflateruhet Ra: 0,4μm

Bøyestyrke: (3-punkts metode):600-1000Mpa

Elastisitetsmodul: 310Gpa

Bruddfasthet (IF-metoden): 6,5 MPa･√m

Termisk ledningsevne: 25°C 15-85 W/(m･K)

Dielektrisk tapsfaktor:0,4

Volumresistivitet: 25°C >1014 Ω･㎝

Nedbrytningsstyrke: DC >15㎸/㎜