Silisiumnitridplate og dens produksjonsmetode

Patentnavn:Silisiumnitridsubstratog dens produksjonsmetode, og produksjonsmetoden for silisiumnitrid kretskort og halvledermodul ved bruk av silisiumnitridplaten
Teknisk felt:
Foreliggende oppfinnelse involvererSilisiumnitridsubstratog dens produksjonsmetoder. I tillegg involverer oppfinnelsen bruk av silisiumnitrid-kretssubstrater og halvledermoduler ved bruk av ovennevnteSilisiumnitridsubstrat.
Bakgrunnsteknikk:
I de siste årene, innen felt og andre felt av elektriske kjøretøy, krafthalvledermodulen (Power Semiconductor Module) (IGBT, power MOSFET, etc.) som kan jobbe med høy spenning og stor strøm. For substratet som brukes i krafthalvledermodulen, kan en overflate av et isolerende keramisk substrat brukes til å kombinere med et metallkretskort, og det keramiske kretssubstratet med en metallradiatorplate på en annen overflate kan brukes. I tillegg halvlederelementer på metallkretskortet og så videre. Kombinasjonen av de ovennevnte isolerende keramiske underlagene med metallkretskort og metallkjøleribben, slik som såkalt kobberbasert kobberbasert kobberbasert kobberbasert kobberbasert kobberbasert kobberbasert kobberbasert kobber er direkte forbundet til lovlig. For en slik effekthalvledermodul er varmespredningen større ved å strømme gjennom store strømmer. Men fordi det ovennevnte isolerende keramiske substratet er lavt når det gjelder termisk ledningsevne, kan det bli en faktor som hindrer varmespredningen av halvlederkomponenter. I tillegg er genereringen av termisk spenning forårsaket av den termiske ekspansjonshastigheten mellom det isolerende keramiske underlaget og metallkretskortet og metallkjøleplaten. Som et resultat er det isolerende keramiske underlaget sprekker og ødelegges, eller metallkretskortet eller metallets varmeavledning. Brettet fjernes fra det isolerende keramiske underlaget.