Aluminiumnitridsubstrat

Mullitesubstrat(3 a1203. 2Si02): er en av de mest stabile krystallfasene i det binære systemet A1203-Si02, selv om mekanisk styrke og termisk ledningsevne er lav sammenlignet med A1203, men dens dielektriske konstant lav, så det forventes å forbedre signalet ytterligere overføringshastighet. Den termiske ekspansjonskoeffisienten er også lav, noe som kan redusere den termiske spenningen til LSI, og forskjellen i koeffisienten for termisk utvidelse av ledermaterialet Mo, W er liten, og har derved lav spenning mellom lederen under sykling.

Aluminiumnitridsubstrat:
en. Råmateriale: AIN er en ikke-naturlig tilstedeværelse, men et kunstig mineral i 1862, ble først syntetisert av Genther et al. Representasjonen av representasjonen av Aln-pulveret er å redusere nitridmetoden og den direkte nitrideringsmetoden. Førstnevnte reagerer med en karbonreduksjon med høy renhet i A1203, og reagerer deretter med nitrogen, og sistnevnte er direkte nitrering. ;

b. Produksjonsmetode: A1203substratproduksjon kan brukes til fremstilling av AIN-substrater, hvor maksimal bruk av den organiske lamineringsmetoden, det vil si AIN-råstoffpulveret, et organisk lim og en løsningsmiddel, overflateaktivt stoffblandet keramisk slurry, passert, laminat, varmpresse, avfetting, brennende

C. Egenskapene til AIN-substratet: AIN er mer enn 10 ganger, og CTE matcher silisiumplaten. AIN-materialet er relativt relatert til A1203, isolasjonsmotstanden, isolasjonen og den dielektriske konstanten er lavere. Disse funksjonene er svært sjeldne for bruk av emballasjesubstrat;

d. Bruksområde: Brukes for VHF (Ultra High Frequency) Frequency Belt Power Amplifier Module, High Power Device og Laser Diode Substrate.